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PCVD

2019-06-11  來自: 惠州韌達納米科技有限公司 瀏覽次數:732

PCVD的全稱:(Plasma Asisted Chmical Vapor Deposition)。等離子體增強化學氣相沉積 二、原理: PCVD的原理與輝光離子放電等離子體滲氮的原理相似,同樣是利用低溫等離子體(非平衡等離子體)。工件置于低氣壓下輝光放電的陰極上,利用輝光放電(或另加發熱源)使工件升溫到預定溫度,然后通入適量的反應氣體,經一系列化學反應和等離子體反應,在工件表面形成一層薄膜。它包括了化學氣相沉積的一般技術,又有輝光放電的強化作用。 PCVD等離子體增強化學氣相沉積設備與等離子體滲氮設備相似,包括:電源、真空爐體、真空獲得系統、進氣系統、氣體凈化系統等。它繼承了CVD和PVD的優點,克服了缺點。


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CVD與PCVD的異同點如下:

1、工件表面超硬化處理方法主要有物li 氣相沉積(PVD),化學氣相沉積(CVD),物理化學氣相沉積(PCVD),擴散法金屬碳化物履層技術,其中,CVD法具有膜基結合力好,工藝繞鍍性好等突出優點,因此其應用主要集中在硬質合金等材料上。PCVD法的沉積溫度低,膜基結合力及工藝繞鍍性均較PVD法有較大改進,但與擴散法相比,膜基結合力有較大的差距,PVD法具有沉積溫度低,工件變形小的優點,但由于膜層與基體的結合力較差,工藝繞鍍性不好,往往難以發揮超硬化合物膜層的性能優勢。此外由于PCVD法是等離子體成膜,雖然繞鍍性較PVD法有所改善,不過沒有辦法消除。

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2、由擴散法金屬碳化物覆層技術形成的金屬碳化物覆層,與基體形成冶金結合,具有PVD、PCVD無法比擬的膜基結合力,因此該技術真正能夠發揮超硬膜層的性能優勢,此外,該技術沒有繞鍍性問題,后續基體硬化處理方便,并可多次重復處理,使該技術的適用性更加廣泛。


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3、CVD是在高溫遠高于臨界溫度下,產物蒸汽形成過飽和蒸氣壓,自動凝聚成晶核,在聚集成顆粒,在低溫區得到納米粉體。可以選擇條件來控制粉體的大小形狀等。對于PCVD,它是利用電弧產生高溫,將氣體等離子化,然后這些離子逐漸長大聚合,形成超細粉體,該方法反應溫度高,升溫冷卻速率較快。


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